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喜讯!第6代IGBT迎来窗口期 第7代IGBT获得突破

2023-7-7

近日,振华永光传来好消息:第6代IGBT功率模块制迎来窗口期,第7代IGBT功率模块成功研制。

根据振华永光IGBT订货情况显示,截止2023年5月31日,第6代IGBT功率模块的用户数量同比增长42.9%,IGBT订货金额同比增长100%以上,这些都得益于第6代IGBT优良的开关损耗和可靠性表现,未来预期在伺服电机、风力发电等领域均会有很好的市场前景。

2023年6月,振华永光成功研制出第7代IGBT芯片的1200V/900A功率模块,该产品参数性能可完全对标世界一流企业第7代同类产品。

第7代IGBT芯片是基于全新微沟槽技术,与第6代IGBT芯片技术相比,静态损耗降低了30%。该芯片使用在功率模块中,可带来更高的电流密度,相同封装体积下的输出电流能力增加50%以上。同时将IGBT功率模块的最高结温从第6代的150℃提升到175℃,具有很好的市场前景。

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